英特尔CEO承认摩尔定律以三年为周期放缓，但并未死亡

英特尔CEO Pat Gelsinger最近在麻省理工学院的演讲中承认，半导体产业的发展速度已经放缓，摩尔定律的速度也有所减缓。他表示，晶体管现在每三年才会增加一倍，这实际上远远落后于摩尔定律所规定的两年节奏。

摩尔定律最初由英特尔联合创始人兼首席执行官戈登·摩尔（Gordon Moore）于1970年提出，认为芯片上的晶体管数量每两年翻一番。这要归功于新节点密度的增加以及制造更大芯片或晶片的能力。然而，近年来半导体行业的步伐在某种程度上落后于摩尔定律的趋势，促使许多人（包括英伟达首席执行官黄仁勋）表示摩尔定律已经失效。

自2021年担任首席执行官以来，Pat Gelsinger一直强调摩尔定律“依然有效”。事实上，他甚至表示英特尔可以至少在2031年之前超越摩尔定律的节奏，并推出了“超级摩尔定律”战略，通过使用2.5D和3D芯片封装技术来提高晶体管数量。英特尔还经常将这一战略称为“摩尔定律2.0”。

在麻省理工学院的演讲中，Gelsinger被问及摩尔定律可能的终结时，他首先表示：“我认为我们已经宣布了大约三到四年的摩尔定律死亡。”然而，他随后补充道：“我们不再处于摩尔定律的黄金时代，现在要困难得多，因此我们现在实际上是每三年才实现一次翻倍，所以我们确实看到了速度放缓。”

Gelsinger表示，尽管摩尔定律明显放缓，但英特尔仍有望在2030年制造出一颗拥有一万亿个晶体管的芯片，而目前单个封装上最大的芯片大约有1000亿个晶体管。这位首席执行官表示，有四个因素使得这成为可能：新的RibbonFET晶体管、PowerVIA电源传输、下一代工艺节点和3D芯片堆叠。他在回答结束时说：“对于那些宣称我们已经死了的批评者……直到元素周期表耗尽为止，我们还没有完成。”

Gelsinger表示，尽管摩尔定律明显放缓，但英特尔到2030年仍能制造出拥有一万亿个晶体管的芯片，而目前单个封装上最大的芯片约有1000亿个晶体管。他提到了新型RibbonFET晶体管、PowerVIA电源传输、下一代工艺和3D芯片堆栈等技术，这些技术将使这一目标成为可能。

尽管如此，盖尔辛格承认摩尔定律在“降低成本”方面的论述正在瓦解。“一个现代化的工厂，七八年前可能需要约100亿美元。现在，它需要约200亿美元，所以你们看到了经济方面的不同转变。”