Exynos 8895曝光:主频可达4GHz正面PK骁龙830

　　【PConline 资讯】2016已经进入了下半年，年初大放异彩的两颗处理器高通骁龙820和三星Exynos 8890也逐渐成为旗舰手机的标配，许多关注科技时事的人已经逐渐将眼光放到下一代的旗舰处理器上。据网友爆料，三星目前正在测试Exynos 8895——也就是Exynos 8890的继任者，将搭载在明年的Galaxy S8上。

Exynos 8890芯片

　　据悉，Exynos 8895将采用10nm FinFET工艺，其最高频率可达4.0GHz，比骁龙830的3.6GHz频率还高一些。

　　当然，消息的真实性还有待商榷。就目前而言，10nm工艺芯片还很难成为明年的主流产品，参照英特尔的状况，由于10nm制造工艺比预期困难，英特尔已经将全面转向10nm的计划延迟，并推出了权益产品，换句话说，同样的事情可能发生在移动芯片产业。

　　另一方面，14nm工艺产品虽然已经实现了量产，但仍旧处于完善阶段，理论上还有改进的空间，因此，短期内采用下一代制造工艺的可能性不大。