【PConline 资讯】近日，Crossbar公司宣布与中芯国际合作的40nm工艺的ReRAM芯片终于正式出样。早在2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际合作，中芯国际将采用40nm CMOS试产ReRAM芯片。
据介绍，40nm工艺的ReRAM芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，具备结构简单、易于制造等特点。
据悉，在2017年上半年，28nm工艺ReRAM芯片也将会问世，会比目前的40nm工艺的ReRAM芯片更先进。
