领先友商一代！Intel公布10nm制程，A75狂飙3.3GHz

　　【PConline 资讯】随着Exynos 8895、骁龙835移动平台的商用，三星、台积电等半导体巨头争相进入10nm世代。新制程带来更强的性能、更高的能效，那么老大哥Intel又有什么大动作呢？

　　闭关修炼的Intel终于打磨好10nm芯片工艺。9月19日，Intel在北京举办「精尖制造日」活动，首次亮相基于10nm节点的“Cannon Lake”晶圆，新制程功耗和性能的细节也正式向外界披露。

▍领先友商10nn制程整整一代

　　Intel 10nm制程采用第三代FinFET技术，通过超微缩技术实现业内最高的晶体管密度：

　　· 最小栅极间距从70nm缩小至54nm，

　　· 最小金属间距从52nm缩小至36nm，

　　· 逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，达到之前Intel 14nm制程的2.7倍，大约是业界其他10nm制程的2倍。

　　相比之前的14nm制程，Intel 10nm制程可实现多达25%的性能提升和45%的功耗降低。全新增强版的10nm制程——10++，可将性能再提升15%并将功耗再降低30%。

▍A75核心主频超过3GHz

　　去年8月Intel晶圆代工宣布与Arm达成协议，双方将加速基于10纳米制程的Arm系统芯片开发和应用。Intel在精尖制造日上全球首次展示了Cortex-A75 CPU内核的10nm测试芯片晶圆。

　　· 采用行业标准设计流程，可实现3.3GHz的性能：

　　· 在12周内从RTL至首次Tape Out，

　　· 功耗250uW/MHz。

　　Intel 10nn制程计划于2017年底投产，2018年上半年实现量产，老哥稳。