Computex2013前瞻:九大重点产品预测
2013年05月28日 19:10
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储存:10nm制程闪存芯片
三星已经实现了10nm制程、单颗128Gb的MLC NAND闪存芯片,容量更大、速度更快,并且成本更低。
10nm制程的MLC闪存颗粒
三星的10nm制程MLC在工艺上取得了优势,单颗容量可以做得比以前更大,成本更低,可以用在SSD、手机、平板电脑等产品上面。
SSD会更大容量、更快速
新闪存芯片的诞生最先受惠的当然是SSD,三星已经准备推出使用10nm闪存的500G容量840系列SSD,不仅容量会更大,估计速度也会更高。
亲儿子手机受惠
另一方面, 这些新闪存还会用到智能手机上,尤其是三星的Galaxy系列最可能直接受惠,实现更大容量机身储存,并且功耗表现更加出色。
三星已经实现了10nm制程、单颗128Gb的MLC NAND闪存芯片,容量更大、速度更快,并且成本更低。
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10nm制程的MLC闪存颗粒
三星的10nm制程MLC在工艺上取得了优势,单颗容量可以做得比以前更大,成本更低,可以用在SSD、手机、平板电脑等产品上面。
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SSD会更大容量、更快速
新闪存芯片的诞生最先受惠的当然是SSD,三星已经准备推出使用10nm闪存的500G容量840系列SSD,不仅容量会更大,估计速度也会更高。
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亲儿子手机受惠
另一方面, 这些新闪存还会用到智能手机上,尤其是三星的Galaxy系列最可能直接受惠,实现更大容量机身储存,并且功耗表现更加出色。
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