3D V-NAND闪存加持!三星850EVO首发评测
2014年12月19日 00:15
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三星850EVO 500G概况介绍:


包装的正面

  三星850EVO 采用了全新的白色包装,与以前的三星SSD大为不同,简约明了的风格给人一种耳目一新的感觉。


包装背面

  包装的背面还清晰印有3D V-NAND闪存的标志。


三星850EVO 500G正面(右下角为840EVO)

  与840EVO相比,三星850EVO的外观还是做出明显的改动,外壳的颜色更黑一些,三星的LOGO也变成了白色。其 采用醇黑金属外壳设计,经过特殊的金属拉丝工艺处理,质感十足,坚固耐用。


  由于采用三星TurboWrite技术,三星 850 EVO在性能方面表现相当突出,连续读取速度可达540 MB/s,写入速度可达520 MB/s;500G版本提供 90K IOPS 的随机写入速度,可快速存储大量数据和执行多任务处理。此外,据官方称,对于500GB和1TB两个型号,在每日写入 高达80GB 数据的基础上可连续使用5年,具有出色的可靠性与稳定性。


  通过背部的标签,可以清楚地看到,850EVO的型号为MZ-75E500,容量为500GB,电压为5V,电流为1.4A。由于采用的全新MGX主控,在功耗上要比840EVO、850PRO更低一些。



  三星850EVO 厚度突破7mm,达到惊人的6.8mm超薄,加上铝合金的外壳,轻与薄非它莫属,很适合于超薄类的笔记本以及空间有限Mini台式机选用。


  接口方面,采用主流的SATA 3.0接口,理论传输速度 6Gb/s,以三星850EVO 系列的读写性能来看,几乎达到SATA3.0的理论传输极限了。

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