我在去年10月份也参观了美光公司于新加坡的制造工厂。美光今年2月又花费40亿美元用于扩大这家工厂的制造产量。相比之下，希捷与西部数据作为传统硬盘的代表，在过去三年中的总体资本支出约为43亿美元。国外研究机构利用电子表格建模生成了以下图表，具体内容为至2018年NAND与希捷/西部数据磁盘驱动器的资本支出对比结果：

二者的差异可谓非常明显，特别是在闪存与磁盘的每TB资本支出数字对比方面。

从不同年份出发，闪存的每TB制造成本与磁盘驱动器相比一直在53倍到162倍之间浮动。

　　庞大的支出与产品产量风险意味着，投资分析师对于新的融资计划无法做出准确评估，很难预测闪存制造运营商未来的预期经营收益。生产方面的可怕难度与潜在失误风险很可能给相关企业带来严重的业务绩效影响，同时也会造成不少供应难题。通往3D闪存彼岸的涅槃之路可谓迷雾重重，而且就目前而言我们还远看不到明确的终点。

总结

　　好了，我最后来盘点一下目前在战场上的这些品牌之间的地位

　　三星：最早拿出3D V-NAND的三星，在这一领域的领先地位是肯定的，虽然在市场中的反映好坏参半，尤其去年845的XX门（懂的自然懂），让三星在我们上面提到的品控上任然存在问题，保住地位，就看今年的新品了。

　　闪迪/东芝：两强在各自提供着自己拥有的技术底盘，尤其闪迪在近1年时间里活跃在全闪存技术上，为其在企业级的地位大大加剧筹码，回归到消费级产品上，闪迪依然有着足够的用户口碑，有东芝提供flash，在3D NAND的产品研发上，速度并不会慢。同时东芝已经计划在2015年下半投入48层堆叠V NAND生产。

　　intel/美光：对于intel，我只说一些个人观点，其在闪存产品上的活跃度一直不高不低，曾经在很长时间里让人摸不到节奏。直到今年，美光和intel决定携手共同研发3D NAND，这一举动对于市场的影响不容低估，但两者能够促成火花，拭目以待。

　　SK海力士：SK Hynix应该是在市场中优势较小的制造商，虽然声明2015年第3季开始生产36层堆叠MLC V-NAND，但目前其下游客户群体并不优秀（山寨？是吧？）2014年底SK海力士已经完成研发24层结构V-NAND技术，在2015年底将推出48层TLC V-NAND，正式加入V-NAND竞局。