十万个为什么之2019年NAND闪存还会大降价？国产SSD何时发威？

　　【PConline 杂谈】2018年还剩下两个月时间，回首这一年的PC DIY市场，大家能发现什么？AMD、英特尔在CPU市场上斗法推动了八核处理器普及，不过英特尔“晚节不保”，下半年出现了14nm产能不足的问题，影响了处理器供应，八代酷睿处理器这价格涨的让人害怕，一下子取代了内存的理财产品定位——说到内存及SSD，今年是这一轮繁荣周期的第三年了，内存价格还有点高，但是NAND闪存大降价，手机存储及SSD硬盘终于进入大容量而且廉价的时代了。

　　过去两年多的时间里，DRAM内存芯片及NAND闪存芯片的价格一直在上涨，疯狂的时候内存价格几乎一天一涨，8GB单条内存最高价格将近千元，120GB硬盘的价格也涨到了四五百块，高端产品价格还会更贵，不过今年内存价格已经稳定下来了，甚至略有小降，而NAND闪存价格可以说是崩盘。

　　今年Q1季度的时候三星、东芝、美光、SK Hynix等公司的NAND芯片利润率还有40%，但是Q1季度之后NAND价格就开始暴降，据统计今年上半年NAND闪存价格下跌了至少50%，而8月份的FMS闪存会议上分析师Jim Handy表示接下来的两个季度NAND价格还会再降80%，未来每年还会降低30%，直到下一轮涨价。

　　NAND闪存价格暴跌的后果就是SSD硬盘的价格也随之下降，以影驰去年推出的One系列SSD固态硬盘为例，去年120GB的价格还要359元，今年的价格直线下降，目前只要199元，每GB售价约为1.5元。

　　举个例子，如影驰的One系列由于主打高品质3D TLC NAND闪存颗粒，所以售价还不是市场上最便宜的，但在持续读写最高可达560MB、500MB/s，4K随机读写最大达到78000 IOPS、80000 IOPS，逼近SATA接口理论极限的稳定优质性能下，该价格也是已经极具性价比。

　　2018年的NAND/SSD市场由涨转跌，这个趋势还会在2019年得到延续，不过2019年闪存市场上的变数不只是降价这么简单，新技术、新产品以及中国厂商的加入都会对这个市场带来很大的变化。这次的十万个为什么我们就来预测下2019年存储市场上的的一些新变化。

2019年SSD硬盘市场预测之：64层堆栈闪存继续杀价，96层堆栈闪存量产

　　2018年NAND闪存之所以大降价，一个关键原因就是64层堆栈的3D NAND闪存大规模量产，实现了从32层/48层堆栈到64层堆栈的飞跃，使得NAND闪存每GB成本降至8美分，相比之前2D NAND闪存的成本高达每GB 21美分，成本的降低才让NAND降价成为可能。

　　在64层堆栈之后，今年下半年各大厂商也开始量产96层堆栈的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V-NAND闪存（3D NAND闪存中的一种），率先支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度达到了1.4Gbps，相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40%。工作电压从1.8V降至1.2V，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30%。

　　另外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。

　　之后美光、英特尔、东芝、西数及SK Hynix也陆续宣布了自家的96层堆栈3D NAND闪存方案，其中西数、东芝的96层3D闪存使用的是新一代BiCS 4技术，QLC类型的核心容量高达1.33Tb，比业界标准水平提升了33%，东芝已经开发出了16核心的单芯片闪存，一颗闪存的容量就有2.66TB。

　　在这样的情况下，几大NAND供应商今年底会推出96层堆栈的NAND闪存及SSD、UFS产品，不过今年内96层堆栈闪存只是小荷才露尖尖角，真正的大规模量产要到2019年，明年将是96层3D闪存爆发的元年。

2019年SSD硬盘市场预测之：TLC闪存依然是主流，QLC大行其道

　　NAND厂商一直在追求的就是不断降低NAND闪存成本，推96层3D闪存是其中一个方向，另一方面也会在NAND闪存类型上做文章，我们已经见证了SLC闪存到MLC闪存再到TLC闪存为主的时代，如今TLC闪存已经成为市场上的主流，只有高端SSD硬盘上才会有MLC闪存，明年TLC闪存依然会是主流，但是QLC闪存也会大行其道，成为NAND厂商的新宠。

　　关于SLC、MLC、TLC及QLC闪存的区别，这里就不具体介绍了，我们之前已经有文章详细介绍了QLC闪存的优缺点：QLC闪亮登场:性能低、可靠性渣？但取代HDD的必定是它（https://diy.pconline.com.cn/1129/11298884.html），简单来说就是QLC闪存虽然有可靠性、性能下降的问题，但是它的容量密度更大，成本更低，未来依然大有可为。

　　前面的提到的96层堆栈3D闪存正好是QLC闪存的绝配，三星、美光、东芝、英特尔等厂商虽然会同步推出96层堆栈的TLC闪存及QLC闪存，但是未来势必会转向QLC闪存为主，因为TLC闪存的核心容量普遍在256-512Gb之间，但QLC闪存普遍有1Tb以上核心容量，这就能推动SSD硬盘容量进一步提升。

　　如果TLC闪存实现了4TB最大容量的消费级SSD硬盘，那么QLC闪存时代SSD硬盘可以轻松做到8TB以上，影驰去年在嘉年华上就展示过8TB容量的SATA硬盘，使用的还是3D TLC闪存，如果是QLC闪存，那么容量可以做到16TB以上，这个容量要比现在的HDD机械硬盘都要大了。

　　与2D闪存时代不同，QLC闪存一问世就有诸多先进技术加持，比如3D堆栈、LDPC纠错等等，这使得QLC闪存的P/E寿命、性能要比2D闪存好得多，美光的QLC闪存寿命至少是1000次P/E循环，可靠性、性能不输TLC闪存，2019年QLC闪存将成为NAND厂商的重点产品，而消费者也能见到更多TB容量以上的廉价消费级SSD硬盘。

2019年SSD硬盘市场预测之：SATA还是首选，NVMe 1.4问世

　　除了闪存类型及容量，2019年SSD硬盘也会有一波技术升级，新的NVMe 1.4标准将会带来性能更强大的高端硬盘，不过主流市场上SATA接口还不会被取代，它依然是大多数PC玩家的选择。

　　根据IDC的预测，NVMe硬盘市场还会继续爆发，2020年产值达到73亿美元，而SSD市场会达到162亿美元，HDD硬盘市场为118亿美元，NVMe硬盘将占到企业级存储市场的20%份额，消费级NVMe硬盘占比没有这么高，但在过去的两年中，NVMe硬盘已经成为高端SSD硬盘的标配，不论是HHHL规格的SSD硬盘还是M.2接口的SSD硬盘，普遍上了PCIe 3.0 x通道，带宽32Gbps，读写速度上了3GB/s甚至更高。

　　目前NVMe硬盘最新标准是1.3版，2019年NVMe标准还会升级到1.4标准，带来IO Determinism、Namespace等新功能，提升SSD硬盘的的性能及服务质量，不过对PC玩家来说这次的升级意义不大，性能上不会有明显变化。

　　2019年大部分PC玩家的首选SSD硬盘还是SATA 6Gbps接口的，原因无他，一个是SATA硬盘发展成熟，主控及PCB成本都是最低的，而且SATA硬盘空间够大，散热不是问题，虽然性能受限于6Gbps的带宽不会有太大提升了，不过这个性能已经够用了，读写、随机性能不会是瓶颈。

2019年SSD硬盘市场预测之：中国厂商入局，NAND市场最大变数

　　2019年NAND市场上还有一个变数，虽然它还是初生牛犊，但它是最有可能重塑存储芯片市场格局的，那就是中国的长江存储公司2019年会大规模量产3D NAND闪存，跟三星、东芝、美光等国际NAND厂商形成竞争关系。

关于长江存储，我们之前也报道过多次，官方介绍的资料如下：

　　长江存储由紫光集团，国家集成电路产业投资基金，湖北地方集成电路基金，湖北科投联合投资240亿美元，于2016年7月正式成立。长江存储是紫光集团从“芯”到“云”生态产业链不可或缺的重要组成部分 。

　　2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。

　　长江存储在武汉建设的晶圆厂已经完成基础设施及设备安装了，今年已经开始小规模生产了，主要是32层堆栈的3D NAND闪存，不过长江存储真正大规模量产的时间表是明年，而且不会是32层堆栈的，直接进入64层堆栈，毕竟32层堆栈相比其他厂商的96层堆栈已经落伍太多了。

　　在今年的FMS国际闪存会议上，长江存储还宣布了名为Xtacking堆栈的新型3D闪存，将外围电路和存储单元安置在不同的晶圆不同的层上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度，此外它可以把闪存的I/O速度到3.0Gbps，与DDR4的I/O速度相当，性能够强大。

　　长江存储已经把Xtacking技术应用到第二代3D NAND产品的开发上，预计2019年可以进入量产阶段。

　　总之，2019年长江存储的入局将会对NAND市场产生重大变化，虽然产能跟技术还不能跟三星、东芝等公司相提并论，但是长江存储肯定会用价格做武器跟这些厂商抢市场，导致他们不太可能提价，这就会让明年的NAND闪存市场来一次冲击，即便不能洗牌，也会成为改变市场的一大变数。

2019年DRAM内存市场预测，大降价太难，稳中有降最有可能

　　本文的重点主要是预测2019年NAND闪存市场的变化，但是大家最关心的可能还是DRAM内存市场，毕竟2019年NAND大降价的时候DRAM价格并没有如NAND那样崩盘，整体价格依然是居高不下，那么明年的DRAM内存是否也会大降价呢？

　　直接点说吧，内存产品明年不太可能大降价，首先要注意的是今年的内存条价格其实也降了，影驰HOF Ⅱ DDR4-4000 16GB内存套装价格之前是1899元，现在只要1299元了， DDR4-4000这样的特挑三星B-Die可超频颗粒的高频内存本来就比较少，所以已是旗舰级性价比RGB超频内存条，此外，主流级别的DDR4-2666内存现在已经可以做到400元了，这个价格比年初500-600元的价格也降了不少了。

　　此外，内存市场不比NAND闪存市场，首先是DRAM内存市场供应比较集中，三星、SK Hynix及美光三家公司占据了全球95%以上的产能，其中三星自己就占了47%的份额，整个市场高度垄断，而DRAM内存过去两年给三星、SK hynix、美光带来了巨额利润，三星在DRAM上的毛利率已经达到了70%，其他两家也有60%以上的毛利率，所以在竞争不充分的情况下是不可能主动降价的。

　　DRAM内存的制造工艺比NAND更难，目前最先进的量产工艺依然是1Y级别的18nm工艺，新一代的1X工艺还没有量产，明年即便有新工艺内存芯片问世，产能也不乐观，而产能不增加是没法降低成本的，注定了DRAM内存无法像NAND闪存那样大降价。

　　总之，DRAM内存市场情况不比NAND市场，2019年大降价的可能不大，即便降价也是稳步下降的那种，这将是个长期的过程。

PConline总结：

　　2019年的存储芯片市场上，NAND闪存价格因为96层堆栈3D闪存及QLC闪存的量产，价格还会继续下降，这也让SSD硬盘更有可能普及大容量产品，240GB容量的SSD硬盘只是入门级产品，480/512GB的SSD硬盘会成为主流。

　　至于DRAM内存，像NAND那样大降价是不可能的，不过2019年的8GB内存条也不会高不可攀，主流型号300元出头的价格还是可以期待的，这样16GB乃至32GB内存的硬件平台成本会大幅下降，高端游戏玩家上32GB内存不再是奢侈品了。