耗资25亿元国产内存即将量产 两年后还将完成17nm工艺研发

　　[PConline 资讯]在日前举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明表示国内研发DRAM内存花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，才建成了目前严谨合规的研发体系和独有技术体系。长鑫的目标是今年内实现国产内存的大规模生产，目前制造工艺进展顺利，已持续投入晶圆超过15000片。

　　2017年全球内存产值约为730亿美元。目前国内从事内存研发、生产的主要是是福建晋华及合肥长鑫，前者投资规模高达370亿元，后者投资规模不低于72亿美元。根据长鑫公司之前公布的计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nm的研发。