5nm芯片实际表现比理论还猛 晶体管密度大幅度增加

　　[PConline]外媒报道，关于5nm芯片工艺的发展有了新的进展，其晶体结构侧视图曾在一篇论文中披露。根据专业机构分析预测，台积电5nm的栅极间距为48nm，金属间距则是30nm，鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm，按照这个计算，台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。

　　目前尚未公布5nm工艺的具体指标，只知道采用的是大规模集成EUV极紫外光刻技术。台积电已在本月开始5nm工艺的试产，第二季度内投入规模量产，苹果A14、华为麒麟1020、AMD Zen 4等处理器都会使用它，而且消息称初期产能已经被客户完全包圆，特别是苹果占了最大头。

　　而对比7nm工艺的每平方毫米9120万个，5nm工艺晶体管密度得到大幅度提升，每平方毫米1.713亿个足足提升了88%，比当初台积电宣传的理论提升84%还要强上一些。

　　当然，这目前也只是根据一些资料进行的分析和评估，最后还得看批量成品表现究竟怎么样。