英伟达下一代显卡RTX 5090规格曝光 3纳米+1.8万个CUDA

英伟达计划在2024年年底前推出下一代旗舰级显卡RTX 5090，将使用台积电的3纳米制程技术。

根据外媒Hardwaretimes的报导，英伟达下一代RTX显卡系列代号为Blackwell，将在台积电的3纳米（N3）节点制程上生产，内含晶体管数量将超过150亿个，晶体管密度接近3亿/mm²，核心频率将超过3Ghz，显存带宽则为512bits。

以目前市场上的消息来汇整，采用GB102架构的RTX 5090将包含144组SM单元，假设每组SM还是128个CUDA，总计将有18432个CUDA，相较RTX 4090多出12.5%。 加上96MB二级暂存，搭配GDDR7显示内存，并将支持PCIe 5.0 x16接口。

而根据日前 Computex 2023上，板卡制造商所提供的下一代RTX 旗舰显卡的散热设计来看，该款显卡使用了动态双金属鳍片 （Dynamic Bimetallic Fin），6 条贯穿式纯铜热管、大面积铝质鳍片中也嵌入了铜片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的散热铜片。 因此，以显卡如此的散热条件来说，英伟达RTX 5090的原始功耗和发热效能应该会给人留下深刻的印象。