SK海力士公开321层NAND内存

SK海力士在“2023闪存峰会”上公开了321层TLC NAND内存。三星电子是第一家公开展示超过300层的3D NAND的NAND制造商。虽然这种存储器预计在2025年批量生产，但此次展示是SK海力士为非易失性存储器技术的下一波浪潮所做的准备。

此次展示的321层3D NAND存储器容量为1Tb (128GB)，采用TLC架构，但SK海力士没有透露接口速度等其他细节。与此同时，该公司提到，与512 Gb 238层3D TLC器件相比，该芯片的生产率提高了59%，突出了每片晶圆存储密度的显着提高。新的生产技术是否会显著降低3D NAND的每比特成本尚不清楚。

SK海力士使用1Tb的3D TLC设备来展示其321层3D NAND工艺技术的实力，这可能是一个好兆头，该公司打算在这个节点上制造高容量的3D设备。与现有的工艺节点相比，潜在的降低了每比特的成本。这为更高容量的ssd和其他3D NAND闪存存储设备奠定了基础。

虽然SK海力士尚未透露建造321有源层的具体细节，但可以肯定的是，制造商使用了串堆叠（string stacking）技术，就像业界使用的200层以上3D NAND一样。但是，SK海力士究竟是将2 ~160层堆叠在一起，还是将3 ~100层堆叠在一起，目前尚不清楚。

SK海力士的321层3D TLC NAND器件继续使用该公司的CMOS-under-array架构，将NAND逻辑置于存储单元下方，以节省芯片空间，因此SK海力士将其称为4D NAND，这实际上是一个营销术语。

SK海力士NAND开发负责人崔正达在当天的主题演讲中表示:“SK海力士将再次突破堆叠限制，开启300层以上的NAND时代，引领市场。”随着高性能和大容量NAND的及时推出，我们将努力满足人工智能时代的要求，并继续引领创新。”