英特尔18A将先于TSMC N2发布，Intel重回业内领先地位

英特尔首席执行官帕特·基辛格表示，他对公司的18A工艺充满信心，并声称它与台积电的2nm节点竞争有利，并且更早交付。

帕特·基辛格在接受外媒采访时表示：Intel最新开发的18A制程技术有两个主要创新点：新的晶体管和背侧电源技术。关于18A的晶体管与TSMC N2制程的晶体管相比，两者优劣尚且没有定论。但在背侧电源技术上，Intel处于业内领先地位。这项技术意义重大，它可以提高硅片的面积利用效率，降低成本，还可以提高功率传递，增加性能。基辛格认为，Intel18A在晶体管和电源传输两方面都有优势，整体而言略比TSMC N2制程领先一些。

根据目前已公开的信息来看，英特尔的18A工艺节点将使用全新RibbonFET晶体管以及名为PowerVia的电源传输技术。 预计18A制程相比20A制程，性能将有10%的提升。有报道称，ARM可能是Intel 18A制程的第一个客户，计划用于移动SOC领域，但这目前仅仅是一个传言。

在晶圆代工方面，Intel几年来进展缓慢。 但随着Intel在多个制造技术节点上的突破，形势有望改观。最近Intel公布了20A制程进程，预计2024年推出，将用于Arrow Lake处理器。18A制程则适用于更广范围的未来客户端、数据中心和晶圆代工芯片。

在发布会上，Intel公布了18A之后多个制造节点的路线图，并恢复了像14nm时代的"+"符号。至少有3个未来节点在18A之后，其中"Intel Next+"明确会使用HiNa EUV光刻技术。这些技术节点大概在2025-2026年及以后会投产。随着三星和Intel的加入，未来半导体制造市场会比过去更加竞争。