2030年芯片晶体管达万亿规模！TSMC制程与封装技术双向推进

在IEDM会议上，TSMC展示了一万亿个晶体管的发展线路图，与去年英特尔透露的计划相似。这些巨型芯片将使用先进的封装技术，将多颗单芯集成到一起。同时TSMC也在努力开发单个晶片上拥有2000亿个晶体管的芯片。为了实现这一目标，该公司重申正在研发2nm级的N2和N2P生产节点，以及1.4nm级的A14和1nm级的A10制造工艺，预计将于2030年推出。

TSMC的发展线路图显示了其在IEDM会议上对封装技术的预测。近年来，随着芯片制造商面临技术和财务挑战，领先的工艺技术开发速度有所放缓。TSMC与其他公司一样面临着相同的挑战，但作为全球最大的代工厂，TSMC有信心在未来五到六年内提升其生产节点的性能、功耗和晶体管密度，推出2nm、1.4nm和1nm节点。

根据TSMC的说法，英伟达的800亿个晶体管的GH100是市场上最复杂的单片处理器之一，而且很快将会出现更多复杂的单片芯片，拥有超过1000亿个晶体管。然而，制造如此庞大的处理器变得越来越复杂和昂贵，因此许多公司选择多芯片设计。例如，AMD的Instinct MI300X和英特尔的Ponte Vecchio由数十个芯片组成。

在芯片设计越来越复杂，集成度越来越高的趋势下，TSMC需要与其代工客户的需求保持同步。所以TSMC在工艺制程和封装技术两方面都将持续创新。更先进的工艺可以带来更高的晶体管密度，更先进的封装技术则可以让我们更快速的扩张芯片的规模，几年后，我们将看到由超过一万亿个晶体管组成的多芯片解决方案，也将看到拥有高达2000亿个晶体管的单片处理器。