快科技2月27日消息，今天，三星电子官方宣布， 成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM， 巩固了在高容量HBM市场的领先地位。
通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而实现业界最大的36GB HBM3E 12H容量。
据介绍， HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量， 相比于前代8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。
同时三星还通过先进的TC NCF（热压的非导电薄膜）技术 使12H产品与8H产品具有相同的高度， 能够满足HBM封装规格。
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