台积电和SK海力士合作生产HBM4

HBM4内存由于采用2048位接口，预计将大幅提高峰值内存带宽，这对于需要带宽的人工智能(AI)和高性能计算(HPC)处理器非常有用。但HBM4将需要对高带宽内存的制造和集成方式进行大量改变，这需要逻辑代工厂和内存制造商之间更紧密的合作。台积电和SK海力士当然知道这一点，这就是为什么据报道他们结成了联盟，共同生产HBM4.

据韩国《每日财经新闻》报道，台积电和SK海力士已经组建了所谓的人工智能半导体联盟(AI Semiconductor Alliance)，该联盟将结合两家公司在各自领域的优势，并在“一个团队战略”原则下调整双方的战略。报道说，台积电将处理“部分HBM4”工艺，这很可能意味着使用SK海力士所没有的一种先进工艺技术生产HBM4的基础die。这证实了早先的一份报告，该报告声称HBM4将需要在12纳米级生产节点上制造基本模具。另一份报告称，SK海力士和英伟达正在研究一种技术，可以将HBM内存直接堆叠在处理器上，而无需衬底。

在HBM4基础die上的合作并不是台积电和SK海力士合作的唯一方面。作为其3D结构存储器联盟的一部分，台积电正在与所有三家HBM制造商合作，包括美光、三星和SK海力士。至于SK海力士，根据台积电去年展示的一份报告，两家公司正在合作开发HBM3和HBM4的CoWoS封装，HBM的设计技术协同优化(Design Technology Co-Optimization ，DTCO)，甚至HBM物理接口的UCIe。

台积电和SK海力士合作的原因之一是他们需要密切合作，以确保SK海力士的HBM3E和HBM4存储器与台积电制造的芯片兼容。毕竟，SK海力士引领着HBM市场，而台积电是全球最大的代工企业。

与此同时，韩国《每日财经新闻》还指出，台积电和SK海力士之间的合作旨在“建立一个对抗三星电子的统一战线”，三星电子在生产逻辑和存储芯片方面与两家公司都存在竞争。像这样的报道并不罕见，应该持保留态度。很难想象台积电会故意将其封装技术的兼容性限制在SK海力士的内存上，所以很可能台积电和SK海力士的合作比台积电和三星的合作更深一些。

原文《TSMC and SK Hynix team up for HBM4 co-production: Report》