截至2024年6月：美光、SK海力士和三星的HBM进展对比

美光、SK海力士和三星三大存储原厂均于2024年相继实现HBM3E的量产，同时加速推进HBM4的研发工作。

2024年2月，美光宣布量产HBM3E，并将搭载于NVIDIAH200TensorCoreGPU。该产品单引脚最大I/O速率超9.2Gbit/s，最高带宽超1.2TB/s，层数为8层，容量为24GB。此外美光还提供容量为36GB的12层堆叠HBM3E样品。美光计划于2026年发布HBM4产品，最高带宽超1.5TB/s，容量为36GB~48GB，堆叠层数达到12/16层。美光预计2028年推出HBM4E产品，容量将提升至48GB~64GB，带宽增加至2TB/s以上，而堆叠层数仍为12/16层。

2023年8月，SK海力士宣布成功开发出HBM3E，单引脚最大I/O速率为9.2Gbit/s，层数为12层，最高带宽超1.18TB/s；同时该产品采用了大规模回流模塑底部填充（MR-MUF，Mass Reflow-Molded Underfill）技术，散热性能提升10%。2024年3月，SK海力士宣布HBM3E已开始量产。2024年4月，SK海力士宣布将与台积电合作开发HBM4产品。SK海力士表示，应大客户要求，HBM开发进度将提前一年，预计于2025年完成HBM4的开发；HBM4E最早于2026年推出，内存带宽将是HBM4的1.4倍。

2023年10月，三星推出其HBM3E产品——“Shinebolt”，取代了之前推出的“Icebolt”。新HBM3内存单引脚最大I/O速率高达9.8Gbit/s，同时提供1.2TB/s的高带宽。援引彭博社消息，8层HBM3E已于2024年4月量产，容量高达36GB的12层HBM3E计划于24Q2实现量产。在ISSCC2024上，三星公布了其HBM4的研究成果，最高带宽达2TB/s，并通过16层堆叠实现48GB容量，计划于2025年推出。