Intel官方宣布,3nm级别的新工艺Intel 3已经在美国俄勒冈州、爱尔兰的两座晶圆厂内投入大规模量产,用于最近发布的至强6能效核版本Sierra Forest,以及即将发布的至强6性能核版本Granite Ridge。
Intel 3工艺相当于酷睿Ultra上使用的Intel 4工艺的升级加强版,但只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线,也就是至强6这一代,同时开放对外代工。
酷睿产品线不会用它,Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A,就是下半年要发布的高性能Arrow Lake,而低功耗的Lunar Lake第一次全部交给台积电代工,核心计算模块使用台积电N3B 3nm,平台控制模块使用台积电N6 6nm。
Intel之前曾公开表示,Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸),每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。
Intel 3的主要变化有:
- EUV极紫外光刻的运用更加娴熟,在更多生产工序中使用EUV。
- 引入更高密度的设计库,提升晶体管驱动电流,并通过减少通孔电阻,优化互连技术堆栈。
- 产量提升更快。
未来,Intel还将推出Intel 3的多个演化版本,满足客户的多样化需求。
- Intel 3-T:引入采用硅通孔技术,针对3D堆叠进行优化;
- Intel 3-E:扩展更多功能,比如射频、电压调整等;
- Intel 3-PT:增加硅通孔技术的同时,实现至少5%的性能提升。
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