在半导体领域，我国迎来了激动人心的重大突破！国电投核力创芯（无锡）科技有限公司成功交付首批氢离子注入性能优化芯片产品，这一里程碑式的成果令人瞩目。
长期以来，我国半导体产业由于该领域核心技术及装备工艺的缺失，在高端化发展中受到严重制约，尤其是高压功率芯片(600V以上)长期依赖进口。
但面对外国技术封锁，核力创芯团队毫不退缩。在短短三年内，他们凭借坚韧不拔的科研精神和卓越的创新能力，成功突破多项关键技术壁垒，实现了从技术研发到设备制造的全面国产化。
这一突破意义非凡，不仅填补了国内半导体产业链的重要空白，更彰显了我国半导体产业的自主创新能力。此次交付的首批芯片产品，历经近万小时的严格测试，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。为我国在全球半导体产业链中争得更多话语权，也为后续半导体离子注入设备和工艺的国产替代奠定了坚实基础。
未来，随着氢离子注入核心技术的全面国产化，我国半导体产业有望摆脱对外依赖，达到更自主、可控的发展，实现高端功率芯片、集成电路等关键领域的技术突破和产业升级。
