美光HBM4技术实现重大突破：带宽高达2.8TB/s，远超行业规范

美光在发布2025财年第四季度及全年财报时，除了业绩超出市场预期，还披露了下一代高带宽内存（HBM）的关键进展，引发行业广泛关注。

图片来源：micron

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报电话会议上证实，公司新一代HBM4内存将于明年推出，多项性能指标超越了（固态技术协会）制定的基础规范。美光12层堆叠的HBM4正按计划推进，以支持客户平台的扩展。近期，美光已向客户交付HBM4样品，其带宽超过2.8TB/s，针脚速率突破11Gb/s，处于行业领先水平。

图片来源：micron

桑杰认为，英伟达等客户正要求HBM制造商打造性能更强的HBM内存，以跟上其计算芯片呈指数级增长的性能需求。为满足这些需求，美光超越了JEDEC规范。美光的HBM4在性能和能效方面均属行业一流，胜过所有同类竞争产品。成熟的1-gammaDRAM、创新且能效高的HBM4设计、先进的CMOS基础芯片以及先进封装创新，是打造这款一流产品的关键差异化因素。

图片来源：micron

此外，桑杰还确认，对于HBM4E，美光不仅提供标准产品，也提供基础逻辑芯片定制。此前有报道称，英伟达和AMD将首次采用定制化HBM内存。在HBM堆叠中，最多可堆叠12层DRAM芯片，通过硅通孔（TSV）连接，还可嵌入多样化可选的基础芯片，其定制化逻辑或加速器电路能满足特定需求。

图片来源：micron

小编认为：美光 HBM4 的性能突破，展现了存储技术的快速演进。在 AI 算力需求爆发的当下，更高带宽、更优能效的 HBM 成为关键支撑。美光此次超越行业规范的表现，不仅是技术实力的体现，也为英伟达、AMD 等企业的高端计算产品提供了更强 “弹药”，有望加速 AI、高性能计算等领域的创新迭代，同时也让行业看到存储技术在算力军备竞赛中的核心作用愈发凸显。