现在显卡在做工是不断的创新与进步：核心制程工艺由90nm发展到65nm，再到55nm，再到目前最新的40nm，核心的面积不断减少，性能不断得到提升；电感也由原始的开放式电感到半封闭式电感再到全封闭式电感；电容也由电解电容到固态电容再到高分子电容等等。
其中对显卡稳定性起到重要作用的电容，无论是核心供电，还是显存供电，都离不开它。而以前采用的电解电容的电介质为液态电解液，液态粒子在高温下十分活跃，对电容内部产生压力，它的沸点不是很高，因此可能会出现爆浆，长时间不开机后很容易引起爆炸。对于液态电解电容很容易识别，这种电容在外层裹着一层一般黑色的塑料层，顶部一般都开有X或K等形槽，用于缓解电容膨胀。
而固态电容采用的是高分子电介质，固态粒子在高温下，无论是粒子膨胀或是活跃性均低于液态电解液，它的沸点也高达摄氏350度，可以杜绝爆浆现象。
图一
同时，固态电容在等效串联阻抗表现上相比传统电解电容有更优异的表现，在显卡供电电路中具有更好的电气性能。据测试显示，固态电容在高频运作时等效串联电阻极为微小，而且导电性频率特佳，具有降低电阻抗和更低热输出的特色，在100KHz至10MHz之间表现最为明显。可以让玩家拥有更稳定的显卡性能，进而放心使用显卡工作。
图二
传统电解电容比较容易受使用环境的温度和湿度影响，在高低温稳定性方面较差。即使是在零下摄氏55度至105度，固态电容的ESR电阻抗可以达到在0.1～0.3欧母。但电解电容则会因温度而改变，显卡容易受环境影响，从而出现运行不稳定现象。由于液态电解电容诸多不稳定因素，其使用寿命只有固态电容的二十分之一倍。
图三
不否定液态电解电容在其它行业现在还有使用价值，但在显卡做工上，电解电容应该是被淘汰了的元器件。前不久NV发布了最新40nm制成工艺的显卡，标志着N卡正式迈入40nm领域。如果说在上一代55nm制程工艺的显卡中使用液态电解电容是可以原谅的话，那么在新一代40nm产品中仍旧为删减成本，利用消费者对品牌的信任，继续使用低品质的液态电解电容，就是对消费者的不负责任！
图四
