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SK海力士拟提前交付HBM4E样品:最快6月送样,AI高端内存竞赛升温

YIHAN 原创 2026-06-22 09:53:19
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SK海力士2026年6月至7月将在韩国向客户提前交付HBM4E高端AI内存样品,提升带宽38%。此举响应三星5月率先送样HBM4E,双方在AI内存市场展开激烈竞争。行业聚焦HBM4E性能与量产节奏,影响未来AI芯片市场格局。

6月16日消息,据TrendForce及韩媒报道,SK海力士最快将于本月(6月)向主要客户交付高带宽存储器HBM4E样品,最迟不晚于7月。相比该公司此前在第一季度财报电话会上提到的“下半年提供样品”计划,这一节点明显提前;在三星率先送样之后,SK海力士正试图以更快节奏稳住高端HBM市场主动权。

高带宽存储器(HBM)是当下AI加速芯片最核心的配套器件之一,其单堆栈带宽与总容量直接影响大模型训练与推理效率。作为HBM4的增强版本,HBM4E被业界普遍视为2027年前后AI GPU内存架构的关键升级节点。当前HBM市场由三星、SK海力士和美光三家主导。TrendForce数据显示,在2026年全球HBM生产位元占比中,SK海力士约占50%,三星约占28%,美光约占22%。尽管SK海力士仍处于领先位置,但三星在经历HBM3E认证和供货节奏上的波折后,正借HBM4/HBM4E窗口期加速追赶。

就在5月29日,三星电子宣布已开始向全球主要客户交付业内首批12层堆叠、容量48GB的HBM4E样品。三星方面称,该样品引脚速率可稳定在14Gbps,并具备向16Gbps扩展的空间;按14Gbps计算,单堆栈带宽约为3.6TB/s。与HBM4相比,其数据处理性能提升超过20%,容量提升超过30%,能效提升约16%,热阻改善超过14%。这一动作被业内解读为三星在HBM3E时代落后之后,试图以“率先送样”重新掌握高端HBM话语权。消息公布后,三星电子股价在韩国市场明显上涨。

面对三星的抢跑,SK海力士选择把时间表往前压。据韩媒援引业内人士消息,SK海力士正准备向主要客户提供HBM4E样品,最早6月发货、最晚7月发货,较原计划提前数月。在2026年台北国际电脑展(COMPUTEX 2026)上,SK海力士已公开展示12层堆叠、容量48GB的HBM4E样品,单引脚速率最高可达16Gbps,单堆栈带宽高达4TB/s,较HBM4带宽提升约38%,单颗DRAM裸片容量提升约33%。该样品核心DRAM采用1c纳米工艺制造,基础裸片则交由台积电以3纳米工艺生产,面向英伟达、AMD等厂商的下一代AI数据中心GPU平台。

值得关注的是,SK海力士的HBM4E被认为有望进入英伟达计划于明年发布的下一代AI加速器“Rubin Ultra”等平台。6月初,英伟达CEO黄仁勋参观SK海力士在COMPUTEX的展位,并在HBM4E晶圆上留言“请多生产一些”,引发市场广泛关注。SK集团会长崔泰源也在展会期间表示,目前公司只有一家HBM4E客户,“只要客户准备好了,我们就随时准备就绪”。这一表态既体现了SK海力士与头部AI芯片厂商的紧密绑定,也暗示HBM4E的量产节奏将高度依赖下游客户的平台发布计划。

从产业逻辑来看,HBM4E样品交付的时间点之所以重要,是因为下一代HBM将允许更高程度的定制化。越早向客户交付样品,越有利于客户完成性能验证、系统级优化和散热设计,从而在最终的量产订单分配中占据优势。TrendForce指出,随着2026年第二季度进入尾声,买家与供应商之间的谈判已逐步转向2027年的HBM4供应协议,预计HBM4将在明年成为重要供货节点。与此同时,HBM的整体产能也在快速攀升,TrendForce预计到2026年底,HBM晶圆投片量将占DRAM总投片量的22%,位元供给占比升至9%。

为抢占下一代HBM的产能制高点,SK海力士近期也在加码封装与制造能力。今年4月,公司在韩国清州启动约19万亿韩元的先进封装工厂建设,计划于2027年底完工,主要服务HBM等AI内存需求。与此同时,公司此前已于2024年4月宣布在美国印第安纳州西拉法叶投资约38.7亿美元建设先进封装与研发设施,预计2028年下半年投产,项目将创造逾1000个就业岗位,并加强其贴近北美AI客户的供应能力。这一布局被视为SK海力士试图贴近关键客户、同时分散产能风险的重要举措。

除了三星和SK海力士,美光也在加速追赶。TrendForce消息称,美光HBM4产能爬坡进展顺利,HBM4E计划于2027年量产,并将采用10纳米级第六代1γ工艺;美光也在下一代DRAM制程中进一步引入EUV光刻,其基础裸片同样计划委托台积电制造。三大厂商在HBM4E节点上的正面交锋,意味着2027年的AI内存市场将不再是一家独大,而是进入“拼样品、拼良率、拼定制、拼产能”的全方位竞争阶段。

当然,HBM4E的大规模商用仍面临多重技术挑战。JEDEC此前已将HBM4允许的最大封装高度从720μm提高到775μm,为16层堆叠和更高容量预留空间。未来,三星、SK海力士等厂商还计划推出16层堆叠、容量64GB的HBM4E版本,以进一步满足超大规模语言模型和高性能计算对内存容量与带宽的双重需求。在散热、功耗和封装高度之间取得平衡,将成为决定HBM4E能否顺利进入下一代AI GPU的关键因素。

总体而言,SK海力士此番将HBM4E样品交付时间提前至6月至7月,既是对三星率先送样的直接回应,也是其巩固HBM市场领先地位、锁定2027年量产订单的关键一步。随着三星、SK海力士、美光三强在HBM4E节点上的竞争全面升温,AI高端内存市场的格局有望在2027年迎来新一轮洗牌,而HBM4E的供货节奏与性能表现,也将成为决定下一代AI加速器天花板的重要变量。

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