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SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 并导入晶圆键合技术 AI优化成亮点

科仔播报 2026-08-07 18:32:05
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SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认,V10 NAND闪存为375层堆叠,这是其首款采用晶圆键合技术的NAND产品。据悉,该产品专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。

在展示V10 1Tb TLC晶圆的同时,SK海力士还展出了两款成品颗粒:32DP 2CH型号堆叠了32个NAND Die,是首款类似封装的TLC;而4通道封装版本面积仅13.5mm × 12.5mm,比传统尺寸更为小巧。

此外,SK海力士还展示了多款产品:包括提供512GB和1TB容量、能效较UFS 4.1改进19%的存储方案,以及基于1c nm 16Gb Die的LPDDR6颗粒。同时展出的还有基于V9 QLC NAND的产品,提供1TB和2TB版本,采用4通道主控,支持从2230到2280的M.2外形规格。

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