国产DRAM一哥砸349亿，钱花在刀刃上

A股市值一哥又出手了，这次是真金白银的大手笔。9月28日晚间，长鑫科技发布公告，拟动用180亿元超募资金投资两大新项目，一个是规划总投资241亿元的技术研发项目，另一个是总投资108亿元的存储器晶圆后道测试基地二期项目，两个项目合计349亿元。对于7月底才刚刚挂牌上市的长鑫来说，这是其IPO募集的超募资金首次启用，一出手就花掉了近一半。

先交代这笔钱的来路。长鑫科技今年7月27日登陆科创板，发行价8.66元每股，绿鞋机制全额行使后募资总额达到666.07亿元，创下科创板开板以来的最高纪录，扣除发行费用后净额663.10亿元，其中超募资金高达368.10亿元。上市首日开盘价49.5元，较发行价暴涨471.59%，全天成交额1412亿元创下A股单日成交新高，总市值直接站上3.28万亿元登顶A股。上市两个月股价累计涨幅超过500%，截至9月29日市值已突破3.7万亿元。而这次拟投入的180亿元，占368.10亿元超募规模的近一半，剩下的一半还攥在手里，后劲十足。

再看钱具体花在哪。技术研发项目总投资241亿元，建设周期30个月，落在合肥新桥科技创新示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，其中设备购置费就达223.98亿元，占总投资的比例高达92.94%，说人话就是，这钱几乎全砸在了研发设备上。长鑫在公告里把目的说得很直白，保持核心竞争力，推进产品与制程工艺迭代升级，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。作为研发项目，它不单独测算投资回报，效益通过技术赋能主营产品来体现。

第二个项目解决的是产能的另一半瓶颈。存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，建设周期37个月，由全资子公司长鑫存储产品合肥在肥西县实施，计划建设一座测试工厂，为DRAM芯片提供测试和模组组装。随着长鑫DRAM产能持续爬坡、产品种类不断增加，外部封装测试工厂的产能已经跟不上节奏，自建后道测试产能既能更灵活地调配资源，又能降低测试成本、提升测试技术，还能进一步完善IDM模式，把供应链的关键环节攥在自己手里。

长鑫敢这么花钱，底气来自实打实的业绩。2026年半年报显示，公司上半年营业收入1503.10亿元，同比暴增873.64%，归母净利润776.05亿元，而上一年同期还亏损23.32亿元，经营活动现金流净额1311.56亿元，同比增长近30倍。存储超级周期叠加国产替代，让这家成立仅十年的企业从扭亏直接冲到了利润爆发。技术层面同样密集兑现，今年9月第五代DRAM工艺平台量产，通过四重曝光把内存阵列有源区半间距微缩到11.95纳米，实现45比1的存储电容深宽比，自研的HKMG高介电常数金属栅工艺把核心功能区高度压到6762纳米。8月，长鑫的LPDDR6更是实现全球首次商用量产，峰值速率12800Mbps，最高容量16GB，首批搭载在小米18 Fold折叠旗舰上。

把视角拉高，长鑫目前是中国第一、全球第四的DRAM厂商，按Omdia统计，2025年第四季度全球份额已增至7.67%，合肥和北京两地共拥有3座12英寸晶圆厂，2025年末月产能30万片，今年正向40万片发起冲刺。在DRAM这个被海外巨头垄断了几十年的赛道里，长鑫用十年走完了从零到全球第四的路，如今手握大把超募资金，一边加码研发追赶制程，一边自建封测补齐链条，意图非常明显，就是把IDM全产业链的每一块拼图都牢牢抓在自己手里。对国产存储来说，这349亿不是终点，而是下一轮冲锋的粮草。