【PConlie 资讯】在14/16nm的工艺上，Intel首先量产FinFET工艺，三星紧随其后。在到了下一代10nm工艺上，参与角逐的公司有Intel、三星及台积电。
而这一回合的较量中，三星率先生产出10nm工艺的128Mbit SRAM缓存。而Intel的10nm工艺Cannonlake由于跳票要到2017年第三季度才能问世，明年的Kabylake仍旧是14nm工艺。台积电则会在明年初试产10nm工艺。
三星日前宣布他们已经成功用10nm的FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存，该缓存多用于处理器的L1/L2/L3缓存，（造价昂贵、速度超快），目前Intel和台积电的SRAM缓存仍是14nm和16nm工艺。
据三星所说，相比14nm工艺，10nm的SRAM缓存核心面积缩小了37.5%，如果应用于处理器中，不仅性能更强、功耗更低、芯片面积也能进一步缩小。
至于具体量产的时间，三星预计在2016年底，而台积电也宣布会在2016年底量产。
编辑点评：说好的摩尔定律最忠实拥护者呢？
