台积电预计2030年将生产1nm晶体管

台积电已经更新了多种的路线图，列出了其未来的半导体目标，一直延伸到2030年。这有点像公司的愿景板，展示了其雄心勃勃的设计计划，将允许在单个封装中使用多达一万亿晶体管。与此同时，该公司还强调，计划最终达成半导体制造业的一个分水岭：1nm晶体管的生产。

该公司在最近的IEDM会议上展示了自己的计划，并发布了一份路线图，列出了未来的计划。在这条道路的尽头，有一些真正诱人的芯片，台积电表示，使用多个3D堆叠芯片，将有可能在一个封装上放置一万亿芯片。巧合的是，英特尔此前也曾表示，到2030年，一个封装上的晶体管可能达到1万亿个。英特尔首席执行官Pat Gelsinger去年表示，该公司设想使用小芯片和先进的封装技术，在一个封装上放置1万亿个晶体管，同时也使用小芯片，即英特尔所说的“瓦片”。

台积电路线图

台积电表示，到2030年，该公司将生产1纳米晶体管，从而在单片芯片上生产多达2000亿个晶体管。来源:台积电

台积电还表示，到2030年，单片设计的晶体管数量也将达到2000亿个。作为参考，英伟达目前最大的单片台积电芯片是H100.它有800亿个晶体管。与此同时，目前的芯片设计也越来越大，英特尔的Ponte Vecchio有1000亿个晶体管，AMD的新MI300有1460亿个晶体管。

据Tom's Hardware报道，为了实现这些目标，台积电将向2nm工艺迈进，然后最终向1.4nm和1nm工艺迈进。路线图显示，到2025年，它将乘坐3nm列车，然后在那之后的某个时间开始生产2nm。到2028年，它将采用1.4nm的A14工艺，1nm的A10节点将在2023年到来。

这个时间表特别有趣的是，英特尔已经计划在2024年生产自己的2nm工艺，并将其称为英特尔20A。在那之后，预计到2025年将推进到1.8纳米，即英特尔18A。和以往一样，我们必须等待，看看它是否达到了这些目标，但到目前为止，该公司表示仍在按计划进行。如果英特尔真的能在2024年生产出20A的CPU，即“Arrow Lake”，那么从理论上讲，它将多年来首次超越台积电，这是该公司从2021年开始的“四年五个节点”计划一直以来的战略。

原文《TSMC Says It Expects to Produce 1nm Transistors by 2030》