SK海力士与台积电在HBM上合作

SK海力士公司近日宣布与台积电签署谅解备忘录，生产下一代HBM，并通过先进的封装技术增强逻辑和HBM集成。SK海力士计划通过这一计划，推进从2026年开始批量生产的HBM系列第6代HBM4的开发。

SK海力士表示，与全球逻辑代工企业台积电的合作将带来更多HBM技术的创新。SK海力士方面表示:“通过此次合作，产品设计、代工厂、存储企业之间的三方合作，有望在存储器性能方面取得突破。”

两家公司将首先专注于提高安装在HBM封装最底部的基模的性能。HBM是通过将核心DRAM芯片堆叠在具有TSV互连技术的基础芯片上，并将DRAM堆栈中的固定层垂直连接到具有TSV的核心芯片，从而形成HBM封装。位于底部的基本芯片连接到GPU, GPU控制HBM。

SK海力士已经使用了一项专利技术来制造高达HBM3E的基础芯片，但计划在HBM4的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，以便在有限的空间内封装额外的功能。这也有助于SK海力士生产定制的HBM，以满足客户对性能和能效的广泛需求。

SK海力士和台积电还同意合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技术的整合，同时合作响应与HBM相关的共同客户要求。

“我们希望与台积电建立强有力的合作伙伴关系，以帮助我们加快与客户的开放合作，并开发出业界表现最佳的HBM4.”SK海力士总裁兼AI基础设施负责人Justin Kim表示:“通过此次合作，我们将进一步加强在定制存储器平台领域的竞争力，巩固作为人工智能存储器整体供应商的市场领导地位。”

“台积电和SK海力士多年来已经建立了牢固的合作伙伴关系。我们共同努力，将最先进的逻辑和最先进的HBM集成在一起，提供世界领先的人工智能解决方案，”台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼副联席首席运营官Dr. Kevin Zhang说。展望下一代HBM4.我们相信我们将继续密切合作，提供最佳的集成解决方案，为我们的普通客户解锁新的人工智能创新。”