ASML公布下一代Hyper-NA EUV计划

ASML公布了一种新型光刻工具的计划，该工具有望扩展高晶体管密度芯片的设计极限。ASML前总裁Martin van den Brink透露，全球研发机构Imec证实，新的“Hyper-NA”EUV技术处于早期开发阶段。今年早些时候，英特尔在俄勒冈州的半导体工厂安装了“Hyper-NA”系统。在安特卫普举行的Imec ITF世界上，van den Brink强调了加强照明系统和将生产率提高到每小时400-500片晶圆的必要性。高NA技术将数值孔径(NA)从0.33提高到0.55，预计将在10年内支持超越2纳米的工艺节点。现在，ASML的目标是到2030年推出Hyper-NA，达到0.75 NA。

正如Imec高级模式计划主任Kurt Ronse所指出的，这标志着Hyper-NA EUV首次纳入ASML的路线图。与ASML合作超过30年的Ronse承认正在进行超过0.55 NA的研究，目标是达到0.85 NA。这一进步的一个重大挑战是光偏振。超过0.55 NA，极化会降低对比度，需要使用偏振片，不幸的是，这会降低功率效率并增加生产成本。ASML仍然是高密度晶体管芯片所需的EUV工具的唯一制造商，通过台积电为英伟达、苹果和AMD等大客户提供服务。

英特尔最近安装了第一个Hyper-NA光刻系统，提高了分辨率和功能扩展，超越了英特尔的18A工艺节点，可与台积电的2nm工艺相媲美。台积电目前依赖于现有的EUV工具的双重模式，实现精确的边缘放置对齐-英特尔旨在通过更高分辨率的高na EUV绕过这项技术。

其他领先的芯片制造商，如三星、美光和SK海力士也在探索Hyper-NA技术，预计该技术足以满足从2nm到7埃的工艺节点过渡。最终，Hyper-NA将逐步进入市场，降低需要重复处理的双重图案的成本和复杂性。

Hyper-NA的替代品，如纳米压印光刻，与Hyper-NA扫描仪相比，吞吐量较低。在荷兰Mapper公司退出市场后，消除昂贵光罩的多光束电子束光刻技术也面临挑战。

除了光刻技术，进一步小型化晶体管的尝试已经接近物理极限。在接近2埃的尺度上，出现了基本的限制，需要具有更高电子迁移率的新材料来取代硅。这些材料对沉积和蚀刻提出了挑战，需要新的技术和设备。尽管有这些进步，硅片仍将是基础，只有特定的层利用新材料来增强电子流。