IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写，它是一种薄膜电晶体技术，在TFT-LCD主动层之上，打上一层金属氧化物。IGZO技术由夏普(Sharp)掌握，是与日本半导体能源研究所共同开发的产品。除了夏普外，三星SDI以及LG Display也同样具备生产IGZO面板的能力。IGZO屏幕最先应用在苹果iPad3上。
技术简介
IGZO与非晶质硅(p Si TFT)材料相比，IGZO能够缩小电晶体尺寸，可提高液晶面板画素的开口率，较易实现高精细化，电子迁移率快20到30倍，将简单的外部电路整合至面板之中，使移动装置更轻薄，耗电量也降至之前的三分之二。
IGZO材料TFT有多低流动性，比传统的非晶硅(p Si TFT)形成的埃拉 (准分子激光退火)，在约10平方厘米/V-秒，流动性是大于10的非晶硅，IGZO使用铟、镓、锌、 氧气，取代了传统的非晶硅基于现用图层。此外IGZO有电子迁移率超过传统材料的40倍，这样其也可以大大降低液晶屏幕的响应时间。
夏普的IGZO材料液晶面板采用了连续晶粒硅晶体管像素(CG硅)，它是一种低温多晶硅，特点是流动性比传统的非晶体硅低温多晶硅高几倍。这样其具有更高的流动性，使它可能其它部件电路形成连同置于液晶面板的玻璃基底上。通过CG硅材料的使用，可以让液晶面板的PPI达到300甚至更高。
不过IGZO对液晶面板的NTSC色域、可视角度、显示色彩数量没有太多影响(前者由背光源决定，后两者取决于液晶分子的排布及特性)，IGZO对液晶面板在响应时间和节能性方面会有一定的优势。
优点：
与目前主流液晶屏幕采用的非晶质硅(p Si TFT)相比，IGZO的优点包括：
1，低温可启用灵活或低成本苏打石灰衬底的使用PVD制作工艺；
2，可以以相对较低的成本在常规A-Si TFT线路上的装配式以及在更大代数的液晶面板生产线切割 (夏普可以用十代线切割IGZO面板)；
3，IGZO的光滑表面能提供更干净的界面，以提供更高的分项数字领域大门绝缘子
4，高透光率，可以让透过更多的光线，减少光通量的损失；
5，良好的均匀性和稳定性；
6，可控制TFT材料的金属成分和沉积参数；
7，提供更低的功耗和更快的响应时间(功耗与OLED接近，但厚度比OLED高25%左右)；
8，可生产高像素密度(更大的分辨率)驱动更高刷新率(240Hz或更高)的液晶面板；
9，同样可用于生产OLED面板。
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