SK海力士HBM3e成品率近80%

SK海力士首次公开了第五代高带宽存储器(HBM) HBM3e的产量细节。据英国《金融时报》报道，SK海力士生产主管KwonJae-soon表示，该公司成功地将HBM3e芯片的量产时间缩短了50%，并接近实现80%的目标产量。

据《Business Korea》报道，这比业界此前的猜测要好，此前业界估计SK海力士HBM3e的成品率在60%至70%之间。

根据TrendForce此前的分析，NVIDIA即将推出的B100或H200型号将采用先进的HBM3e，而目前NVIDIA H100解决方案的HBM3主要由SK海力士供应，因此无法满足迅速增长的人工智能市场需求。

然而，挑战在于CoWoS封装限制和HBM固有的长生产周期(从晶圆启动到最终产品的时间超过两个季度)造成的供应瓶颈。

Business Korea的报告指出，HBM制造涉及垂直堆叠多个DRAM，与标准DRAM相比，这带来了更大的工艺复杂性。具体来说，HBM3e的关键工艺硅通孔(TSV)的产率一直很低，在40%到60%之间，这对改进提出了重大挑战。

SK海力士CEO郭鲁正2日就HBM的未来发展蓝图表示:“2024年和2025年的HBM产能已基本售罄。”据《经济韩国》报道，SK海力士从3月份开始供应8层HBM3e产品，并计划在今年第三季度(7 ~ 9月)供应12层HBM3e产品。12层的HBM4(第六代)将于明年推出，16层的HBM4将于2026年投入生产。