英特尔全面优化了英特尔3 FinFET技术

英特尔的工程师和研究人员在6月16日至20日举行的2024年IEEE VLSI技术与电路研讨会上发表了11篇论文。研讨会重点介绍了先进的技术发展、创新的电路设计及其各自的应用。许多论文都介绍了英特尔代工技术，包括Intel 3 FinFET技术。

英特尔全面优化了Intel 3 FinFET技术，与英特尔4相比，提供了10%的逻辑缩放，性能和可靠性提高。通过晶体管增强、互连优化和设计协同优化，在Intel 4上实现了高达18%的等功率性能增益。Intel 3还支持210纳米高密度标准单元、1.2 v原生I/O晶体管、深n阱隔离和长通道模拟器件，以提供全功能的技术设计能力。

Figures: (Left) Fin/gate TEM cross-section of logic and 1.2-V I/O transistors (top/bottom respectively). (Right) 15% iso-leakage frequency enhancement compared to Intel 4.